3,406
ซัมซุง ประกาศเปิดตัวชิปหน่วยความจำรุ่นใหม่สำหรับสมาร์ทโฟน ความจุสูงถึง 1TB!
ซัมซุง อิเล็กทรอนิกส์ ประกาศเปิดตัวชิปหน่วยความจำรุ่นใหม่ eUFS 2.1 (embedded Universal Flash Storage) ขนาดความจุ 1TB สำหรับอุปกรณ์เคลื่อนที่ ซึ่งคาดการณ์ว่าจะถูกนำมาใช้กับ Galaxy S10+ ที่ทาง Samsung กำลังจะเปิดตัวในเร็ว ๆ นี้
สำหรับชิปหน่วยความจำรุ่นใหม่ eUFS 2.1 นี้ จะมีขนาดของชิปเท่ากับในรุ่นความจุ 512GB คือ 11.5 x 13 มิลลิเมตร โครงสร้างสถาปัตยกรรมหน่วยความจำแบบแฟลช V-NAND แบบ 16 เลเยอร์ อัตราการอ่านข้อมูลต่อเนื่องที่ 1,000 MB/s และอัตราการเขียนข้อมูลต่อเนื่อง 260 MB/s ความเร็วในการอ่านแบบสุ่ม 58,000 IOPS และความเร็วในการเขียนแบบสุ่ม 50,000 IOPS
โดยผู้ใช้สมาร์ทโฟนจะสามารถบันทึกวีดีโอ 4K UHD (3,840 x 2,160) ความยาว 10 นาที ได้ถึง 260 ไฟล์ ในขณะที่สมาร์ทโฟนส่วยใหญ่จะใช้หน่วยความจำ 64GB ซึ่งสามารถรองรับการเก็บวีดีโอในขนาดเดียวกันได้เพียง 13 ไฟล์เท่านั้น ในส่วนของการถ่ายโอนข้อมูล สามารถถ่ายโอนไฟล์วีดีโอ Full HD ขนาด 5GB ได้เร็วกว่า NVMe SSD 5 เท่า และเร็วกว่า MicroSD Card ทั่วไปถึง 10 เท่า
ภาพเรนเดอร์ของ Samsung Galaxy S10+
คาดว่าต่อไปนี้การใช้สมาร์ทโฟนจะได้รับประสบการณ์ที่ไม่ต่างกับการใช้เครื่องคอมพิวเตอร์เลยทีเดียว ต้องมารอลุ้นกันว่าสมาร์ทโฟนรุ่นใหม่ที่กำลังจะเปิดตัวของ Samsung อย่าง Galaxy S10 Series ในช่วงปลายเดือนกุมภาพันธ์นี้ จะเป็นสมาร์ทโฟนรุ่นแรกที่ใช้หน่วยความจำ (ROM) แบบ 1TB หรือเปล่า?!
